3D-микросхемы флэш-памяти от Samsung

Технология 3D флэш закладывает основу для следующего поколения 1Tbit чипов. Компания Samsung Electronics объявила, что в настоящее время начала массовое производство чипов, которые укладывают слоями на кремний данные для хранения, как в микроскопическом небоскребе, создавая то, что, бесспорно, будет технологией NAND флэш в ближайшем будущем.

Этот шаг позволяет Samsung похвастаться первыми в отрасли шагами в трехмерных (3D) вертикальных NAND (V-NAND) чипах flash памяти, которые являются прорывом в текущих 2D или плоских NAND.

Они будут использоваться для создания встроенной памяти и твердотельных накопителей Samsung с V-NAND, что позволит компании обеспечивать их емкость от 128 Гб до 1 Тб (в зависимости от потребительского спроса). «Но мы не будет останавливаться на достигнутом», - сказал Стив Вернер, директор NAND по маркетингу Samsung Semiconductor и куратор сервис центров Samsung.

Это наиболее плотный процесс создания ячеек для хранения данных на нынешних плоских NAND и их размер составляет от 10 нанометра (нм) до 19 нм. Чтобы дать некоторое представление о том, насколько это мало, то нанометр – это одна миллиардная метра, а человеческий волос в 3000 раз толще, чем NAND.

3D NAND технологии Samsung достигают успехов в обоих параметрах: в соотношениях площадей и в производительности. Новые чипы 3D V-NAND будут использоваться в широком спектре бытовой электроники и корпоративных приложений, в том числе во встроенных NAND для хранения данных и твердотельных накопителях (SSD).

Новый V-NAND предлагает плотность 128 бит в одном чипе, такой же, какая сейчас производится с помощью планарной технологии NAND таких компаний, как Intel и Micron.