Регистрация
Напомнить пароль
V-NAND от Samsung использует ячеечные структуры на основе 3D-Charge Trap Flash (CTF) технологии и вертикального межсоединительного технологического процесса, которые связывают 3D-массив ячеек. Применяя последние технологии 3D V-NAND, Samsung может обеспечить в два раза большую плотность NAND 20нм – класса.
Одним из наиболее важных технологических достижений в новом объявленном V-NAND чипе от Samsung является собственная технология вертикального соединительного процесса, благодаря которому может накладываться более чем 24 слоев ячеек по вертикали. Это достигается с помощью специальной технологии травления, которая соединяет слои в электронном виде посредством пробивки отверстий от самого высокого уровня до дна.
Еще не известно, каковы будут пределы для укладки слоев ячеек в памяти 3D NAND, говорят аналитики. «Сейчас это 24. Следующее поколение может содержать 32. Количество слоев будет расти», - сказал Грегори Вонг, основатель и главный аналитик исследовательской фирмы Forward Insights. «Основание остается тем же, но вы можете продолжать добавлять уровни. И, добавив уровней, вы можете снизить немного затраты, потому что есть несколько ячеек памяти, но фундамент, на котором они находятся, остается прежним и не увеличивается», - говорит Грегори Вонг. С новой вертикальной структурой, Samsung может позволить более высокие плотности NAND продуктов флэш-памяти за счет увеличения слоев клеток 3D без необходимости продолжать плоское масштабирование, которое стало невероятно трудным в достижении.
Второй ступенью прикорма в детском питании является детское пюре. Его вводят в рацион малышей после соков. Будучи нежным и легким, пюре - идеальный переход от смесей к твердой пище. Более подробно о полезных свойствах детского питания узнайте на web-ресурсе http://kidstore.ru/.
268
