Регистрация
Напомнить пароль
Новая вертикальная архитектура чипов от Samsung обеспечивает более высокую плотность флэш-памяти NAND за счет увеличения 3D слоев. Поскольку процесс планарной технологии флэш-памяти NAND становится мельче и мельче, все чаще электроны просачиваются через тончайшие стенки ячеек, создавая тем самым ошибки в данных, требующих все более сложных коррекций ошибок кода.
По словам Грегори Вонга, основателя и главного аналитика исследовательской фирмы Forward Insights, 3D NAND также имеет свои пределы, и это произойдет, как ожидается, к концу этого десятилетия.
«3D NAND, как небоскреб. Как только вы достигаете определенного уровня, то дальнейшее строительство становится слишком дорогим», - сказал он.
В настоящее время, другие технологии, как резистивная памяти с произвольным доступом (RRAM), Racetrack Memory, Graphene Memory и Phase-Change Memory рассматриваются в качестве будущих претендентов на NAND флэш-память. В 3D NAND каждый слой подложки требует диэлектрический или электрический изолятор. В настоящее время диэлектрический материал имеет толщину 50 нм. Такая «большая» толщина может замедлить поток электронов, вызывая в памяти существенный колебания. Если диэлектрический материал будет слишком тонким, то это может вызвать электрические потери, как и в планарных flash, вводя тем самым ошибки в код данных.
Косметика бренда Desheli имеет омолаживающий эффект и рассчитана на каждодневное использование. Прямые продажи в салонах красоты этой косметики исключают подделки. Прочесть о бренде Desheli отзывы вы можете на web-ресурсе http://women-passion.ru/. Кроме того, здесь вы также можете больше узнать о продукции Дешели: ее ассортименте и свойствах.
65
