3D-микросхемы флэш-памяти от Samsung. Часть 4

«Очень трудно сжать диэлектрик, поскольку существует компромисс с требованиями надежности», - сказал Вонг. По мнению основателя и главного аналитика исследовательской фирмы Forward Insights Грегори Вонга, это баланс между всеми материалами устройства. «Вам нужно найти правильный баланс между производительностью и надежностью», - утверждает он.

Samsung заявила, что потратила почти 10 лет исследований и разработок на 3D вертикальный NAND чип, и теперь он имеет более 300 запатентованных технологий3D памяти по всему миру. Компания утверждает, что ее 3D-технологии создали основу для более продвинутых продуктов, включая один терабайт (ТБ) NAND flash чипа.

«Новая технология 3D V-NAND является результатом многолетних усилий наших сотрудников, чтобы выйти за пределы привычных способов мышления и преследовании гораздо более инновационных подходов в преодолении ограничений в дизайне памяти полупроводниковых технологий», - сказал Джонг Хек Чой, старший вице-президент, флэш-продукта и технологий компании Samsung Electronics. «После первого в мире массового производства 3D вертикального NAND, мы будем продолжать внедрять 3D продукты V-NAND с улучшенными характеристиками и более высокой плотностью, которая будет способствовать дальнейшему росту глобальной памяти мировой индустрии», - добавил Джонг Хек Чой. А внедрение V-NAND чипов будет осуществляться не только в компьютерную технику, но и в бытовые приборы, профессиональное оборудование, включая профессиональные стиральные машины.

За последние 40 лет обычная флэш-память была основана на планарных структурах, которые используют плавающие затворы. Это приводило к дополнительным временным затратам и увеличению стоимости разработки.